Серийное производство транзисторов на основе нитрида галлия собираются запустить в России до конца 2022 года.
Ключевыми преимуществами транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) являются быстродействие в сравнении с изделиями на кремниевых подложках, возможность работы при высоком напряжении. Также они обладают лучшим показателем надежности.
Нитрид галлия является одним из самых востребованных и перспективных материалов современной электроники. Устройства на основе GaN, их перспективы и преимущества регулярно обсуждаются на отраслевых конференциях по всему миру. Среднегодовой темп роста мирового рынка силовой электроники на GaN, по прогнозам компании Yole Development, в ближайшие два года составит 85%.
В последние несколько лет АО «ЗНТЦ» (зеленоградский нанотехнологический центр) и НИУ МИЭТ (национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники») активно разрабатывали технологию и формировали технологическую инфраструктуру, необходимую для производства кристаллов транзисторов на основе гетероструктур нитрида галлия на подложке кремния диаметром 150 мм для изготовления силовой и СВЧ электроники.
На днях был завершён монтаж необходимого оборудования на участке.
Ввод в эксплуатацию участка, обладающего полной автономностью и независимостью от основной производственной линейки, позволит перейти к изготовлению изделий на подложках нитрида галлия от единичных экземпляров к серийному производству.
До конца 2022 году планируется начать производство микроэлектроники на GaN по базовым технологиям на серийной основе, а в 2024 запустить производство продукции СВЧ МИС Ka и V диапазонов.
Всего же по итогам реализации проекта будет осуществляться производство следующих видов продукции:
Высоковольтные HEMT-транзисторы
СВЧ-транзисторы
СВЧ МИС
Приемо-передающие модули силовой электроники
СВЧ-приемо-передающие модули
Отечественный рынок СВЧ и силовых транзисторов за последние 2-3 года существенно вырос. Тем не менее до настоящего времени на территории России отсутствовало серийное производство электронных компонентов на нитриде галлия.
Всё вышесказанное иллюстрирует то, что работы по нитриду галлия выходят в практическую плоскость.
ндекс
